English Reaktory ALD

English

01Beneq P400 oraz P800

Parametry

Inżynieria warstw/systemy depozycji

Komory reakcyjne pozwalające na prace z elementami wielkości od 20 mm do 600 mm. Stosowany zakres temperatur procesu depozycji mieści się w zakresie 50-500°C. W komorze reakcyjnej, na wybranym podłożu osadzana jest powłoka danego materiału, warstwa po warstwie. Posiadamy doświadczenie w depozycji warstw/powłok :

  • tlenkowych (m.in. Al2O3, TiO2, ZrO2, ZnO, Cu2O, CuO, MgO)
  • azotkowych (m.in. AlN, TiN, CrN)
  • siarczkowych (m.in. ZnS, SnSx)
  • węglików (m.in. Al4C3, SiC)
  • metalicznych (m.in. Pt, Cu, Pd)
  • polimerów
  • warstw biokompatybilnych (implantów)
  • warstw kanapkowych (fotowoltaika)
  • materiałów domieszkowanych (m.in. AZO, MZO, FZO)

Obszary zastosowania warstw uzyskanych techniką ALD:

  • mikroelektronika: czujniki, panele słoneczne, pamięci, ogniwa paliwowe
  • warstwy pasywacji, odporne na zużycie, nano-wires, warstwy antykorozyjne
  • powłoki użytkowe, na przykład na materiałach porowatych
  • powłoki biobójcze

ALD (atomic layer deposition) – technika osadzania warstw atomowych polegająca na naprzemiennym podawaniu reagentów (zwanych prekursorami) do komory reakcyjnej.

01Ask a question