English Reaktor PECVD

English

01Plasmacleaner: Diener tetra 30

Parametry

  • Inżynieria warstw/systemy depozycji
  • Reaktor PECVD – wersja przemysłowa
  • PECVD CentroTherm z 4 kwarcowymi komorami procesowymi o średnicy 210 mm i długości 2000 mm
  • Wydajność procesowa dla standardowych wafli krzemowych 15,6cm x 15,6cm dla procesu nakładania 500 nm Al2O3 – 1500 wafli/h

PECVD (plasma enhanced chemical vapour deposition) – chemiczne osadzanie z fazy gazowej ze wspomaganiem plazmowym. To metoda pozwalająca prowadzić proces powlekania/depozycji na podłożach/przedmiotach/substratach w temperaturze niższej niż klasyczne CVD. Proces polega na wprowadzeniu gazowych substratów pomiędzy dwie elektrody (na jednej z nich znajduje się podgrzewana powierzchnia, na której prowadzona jest depozycja, druga zasilana jest falami o częstotliwości w zakresie 40 kHz -2.45 GHz).

W skutek zachodzącej między elektrodami jonizacji gazów w polu elektrycznym, możliwe jest powlekanie/depozycja określonej warstwy na podłożach wrażliwych na wysokie temperatury w temperaturze od 250°C do 350°C. Stosowane są mieszanki gazowe umożliwiające wytworzenie warstw m.in.: azotku krzemu, tlenku krzemu, tlenoazotku krzemu, węgliku krzemu i bezpostaciowego krzemu.

01Ask a question