Nanomateriały Reaktory ALD

Inżynieria warstw/systemy depozycji

Komory reakcyjne pozwalające na prace z elementami wielkości od 20 mm do 600 mm. Stosowany zakres temperatur procesu depozycji mieści się w zakresie 50-500°C. W komorze reakcyjnej, na wybranym podłożu osadzana jest powłoka danego materiału, warstwa po warstwie. Posiadamy doświadczenie w depozycji warstw/powłok :

• tlenkowych (m.in. Al₂O₃, TiO₂, ZrO₂, ZnO, Cu₂O, CuO, MgO)
• azotkowych (m.in. AlN, TiN, CrN)
• siarczkowych (m.in. ZnS, SnS_x)
• węglików (m.in. Al₄C₃, SiC)
• metalicznych (m.in. Pt, Cu, Pd)
• polimerów
• warstw biokompatybilnych (implantów)
• warstw kanapkowych (fotowoltaika)
• materiałów domieszkowanych (m.in. AZO, MZO, FZO)

Obszary zastosowania warstw uzyskanych techniką ALD:

• mikroelektronika: czujniki, panele słoneczne, pamięci, ogniwa paliwowe
• warstwy pasywacji, odporne na zużycie, nano-wires, warstwy antykorozyjne
• powłoki użytkowe, na przykład na materiałach porowatych
• powłoki biobójcze

ALD (atomic layer deposition) – technika osadzania warstw atomowych polegająca na naprzemiennym podawaniu reagentów (zwanych prekursorami) do komory reakcyjnej.